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輸入部分損耗：
1.脈沖電流造成的共模電感T的內(nèi)阻損耗加大
適當(dāng)設(shè)計(jì)共模電感，包括線徑和匝數(shù)
2.放電電阻上的損耗
在符合安規(guī)的前提下加大放電電阻的組織
3.熱敏電阻上的損耗
在符合其他指標(biāo)的前提下減小熱敏電阻的阻值
普通的啟動(dòng)方法，開(kāi)關(guān)電源啟動(dòng)后啟動(dòng)電阻回路未切斷，此損耗持續(xù)存在。
改善方法：恒流啟動(dòng)方式啟動(dòng)，啟動(dòng)完成后關(guān)閉啟動(dòng)電路降低損耗。
有放電電阻存在，mos開(kāi)關(guān)管每次開(kāi)關(guān)都會(huì)產(chǎn)生放電損耗。
改善方法：用TVS鉗位如下圖，可免除電阻放電損耗（注意：此處只能降低電阻放電損耗，漏感能量引起的尖峰損耗是不能避免的）
當(dāng)然根本的改善辦法是，降低變壓器漏感。
電源芯片是需要一定的電流和電壓進(jìn)行工作的，如果Vcc供電電壓越高損耗越大。
改善方法：由于IC內(nèi)部消耗的電流是不變的，在保證芯片能在安全工作電壓區(qū)間的前提下盡量降低Vcc供電電壓！
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由于待機(jī)時(shí)有效工作頻率很低，并且一般限流點(diǎn)很小，磁通變化小，磁芯損耗很小，對(duì)待機(jī)影響不大，但繞組損耗是不可忽略的。
變壓器繞組引起的損耗：
繞組的層與層之間的分布電容的充放電損耗。(分布電容在開(kāi)關(guān)MOS管關(guān)斷時(shí)充電，在開(kāi)關(guān)MOS管開(kāi)通時(shí)放電引起的損耗。）
改善方法：在繞組層與層之間加絕緣膠帶，來(lái)減少層間分布電容。
mos損耗包括：導(dǎo)通損耗，開(kāi)關(guān)損耗，驅(qū)動(dòng)損耗。其中在待機(jī)狀態(tài)下大的損耗就是開(kāi)關(guān)損耗。
改善辦法：降低開(kāi)關(guān)頻率、使用變頻芯片甚至跳頻芯片（在空載或很輕負(fù)載的情況下芯片進(jìn)入間歇式振蕩）
輸出整流管上的結(jié)電容與整流管的吸收電容在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下引起的尖峰電流反射到原邊回路上，引起的開(kāi)關(guān)損耗。另外還有吸收電路上的電阻充放電引起的損耗。
改善方法：在其他指標(biāo)允許的前提下盡量降低吸收電容的容值，降低吸收電阻的阻值。
當(dāng)然還有整流管上的開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗，這應(yīng)該在允許的情況下盡量選擇導(dǎo)通壓降低和反向恢復(fù)時(shí)間短的二極管。
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摘自EDA365電子論壇
